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发布时间：2025-10-04 23:19:06
| 鹏芯微｜良率工程师笔试解读✅ 1. 半导体制造中，“晶圆良率（Wafer Yield）”的计算公式是（）
[ ] A. （合格芯片数 / 晶圆总芯片数）× 100%（正确答案）
[ ] B. （合格晶圆数 / 投入晶圆数）× 100%
[ ] C. （实际产能 / 理论产能）× 100%
[ ] D. （无缺陷芯片数 / 测试芯片数）× 100%
解析：晶圆良率聚焦单张晶圆上合格芯片的比例，核心是“芯片级”合格判断，公式为合格芯片数与总芯片数的比值（A正确）。B是“批次良率”的计算方式；C是产能利用率；D未覆盖晶圆上所有芯片（仅测试芯片），均不符合晶圆良率定义，故答案为A。
2. 以下哪种缺陷最可能导致“系统性良率损失”（而非随机损失）？（）
[ ] A. 晶圆表面的随机颗粒污染
[ ] B. 光刻工艺中镜头畸变导致的图形偏移（正确答案）
[ ] C. 蚀刻过程中偶然的过蚀刻
[ ] D. 离子注入时的局部剂量波动
解析：系统性良率损失由工艺参数偏差、设备系统性缺陷导致，影响所有或大部分晶圆/芯片（可重复出现）。光刻镜头畸变会导致同一批次所有晶圆的图形偏移，属于系统性问题（B正确）。A、C、D均为随机发生的偶发缺陷，导致随机良率损失，故答案为B。
3. 良率工程师常用的“统计过程控制（SPC）”工具中，控制图（Control Chart）的核心作用是（）
[ ] A. 直接检测晶圆表面的物理缺陷
[ ] B. 监控工艺参数的波动是否在可接受范围（正确答案）
[ ] C. 计算最终产品的可靠性寿命
[ ] D. 优化芯片的电路设计
解析：SPC控制图通过跟踪工艺参数（如蚀刻速率、注入剂量）的时间序列数据，判断其波动是否超出“控制限”（由工艺能力决定），提前预警异常（B正确）。A是缺陷检测设备（如AOI）的功能；C是可靠性测试（如HTOL）的目的；D是设计工程师的职责，均与SPC无关，故答案为B。
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