数百名三星与海力士员工跳槽美光!

据报道，数百名员工从三星电子和SK海力士跳槽至美国美光科技。这一现象引发了韩国半导体产业，包括高带宽存储器（HBM）竞争力可能受到威胁的担忧。

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根据韩国媒体3月8日对商务社交平台LinkedIn的分析结果，约有260名三星电子员工和110名SK海力士员工转投美光。预计实际跳槽人数可能更高，因为还有部分员工未在LinkedIn注册或隐藏了个人资料。

作为全球第三大存储芯片制造商，美光科技正迅速迎头赶上韩国半导体产业。近期，他们甚至跳过第四代产品（HBM3），直接开始量产第五代产品（HBM3E）。此外，有关禁止前SK海力士研究员A某成为美光高管的禁令被提及，进一步加剧了业界对美光的警惕。

A某是主导SK海力士HBM设计的关键人物，他在确保3D堆叠HBM源技术方面发挥了决定性作用，并参与了双倍数据速率DDR5原型的开发。SK海力士在HBM2E的开发上走在行业前列，并因此荣获韩国政府颁发的工业奖。另一位曾在三星电子工作的B某也加入了美光。据推测，B某选择跳槽至美光是为了专注于HBM的开发。他曾负责三星电子HBM2开发工作，并在加入美光后投身于HBM2E和HBM3的研发。

与此同时，宣布重返晶圆代工市场的英特尔也加剧了韩国半导体人才流失的风险。去年7月，一名计划跳槽至英特尔的三星电子工程师D某被判处一年零六个月监禁。D某因试图泄露包含三星电子代工厂核心技术的33个文件而被捕。

韩国产业经济贸易研究院资深研究员金阳培（音译）表示：“在全球半导体人才短缺的背景下，拥有最先进存储半导体技术的韩国成为关注焦点。”他补充道：“企业正通过经济激励和职业管理努力留住人才，韩国也在遵循《反间谍法》的规定。有必要通过专门立法来加大处罚力度。”